Новосибирским физикам удалось разработать флеш-память с использованием мультиграфена. Устройство превосходит по своему быстродействию все существующие аналоги в два-три раза. Принцип действия такой флешки основан на инжекции (впрыскивании) и хранении электрического заряда в запоминающей среде (мультиграфене), пишет «Наука в Сибири».

Стоит отметить, что необходимыми компонентами также являются туннельный и блокирующий слои. Первый изготавливается из оксида кремния, второй – из высокопроницаемого диэлектрика. По словам ученых, эффективность флеш-памяти зависит от энергии, которая тратится на удаление электрона из вещества. А мультиграфен отличается большой работой выхода для электронов, около 5 эВ.

««Зажатый» между туннельным и блокирующим оксидами, мультиграфен, по словам физиков, представляет собой глубокую потенциальную яму, куда заряд скидывается и где потом долго хранится. Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд», – рассказал старший научный сотрудник Института физики полупроводников СО РАН Юрий Новиков.

О масштабном производстве флеш-памяти на основе мультиграфена сибирские физики пока не думают. Сейчас ведутся лишь фундаментальные исследования, работа с опытными образцами. Для коммерческого применения такого устройства в России требуется завод с современными технологиями, стоимостью около 5 млрд долларов.

Новосибирск, Иван Гридин

© 2016, РИА «Новый День»